佛山市政府2016创新科研资助的世界一流水平科技创业团队项目：“氮化镓功率器件芯片设计及其在电力电子领域的应用” 的项目公司。选址佛山市南海区桂城千灯湖金融高新区宝石西路1号C时代创新产业综合体2座706，注册资本1000万元人民币，公司海外团队由美加高科技创业公司成功人士、著名IT企业高管和科学家、著名大学教授、IEEE Fellow（院士）等组成，国内团队由资深企业家、投资人、新三板创始人和著名高校老师等组成。公司设氮化镓功率器件芯片设计部、芯片代工和封测协作部、电源系统模块集成研发部、系统应用产品研发部。  
    公司拥有涵盖E－Mode和D－Mode晶园片外延、Gan HEMT芯片设计、流片工艺、封装、Gan HEMT门驱动芯片设计和系统应用相关的丰富多项自主知识产权和持续的研发能力，在美加拥有强大的研发团队和著名的高校和科研机构为合作方，地处全球最重要的功率器件应用市场珠三角的核心区佛山。公司以Gan HEMT系统应用市场为导向，反推高效低成本的Gan HEMT芯片设计至产业化生产，晶园片外延、流片和封测外包的轻资化经营模式。目前，公司以自主IP完成晶园外延、芯片设计、流片、封测定型；系统应用产品全球体积最小的45W笔电适配器和QC3.0快充正小批试产过安规认证中，65W笔电适配器亦将进入小批试产线。
   我们的愿景是在二年内在国内率先实现氮化镓功率器件低成本的产业化、率先推出氮化镓功率器件应用产品，在五年内成为世界一流的功率器件芯片供应商及电力电子应用系统方案提供商。